Захват электронов в антиферромагнитной нанопроволоке

Электрон — одна из фундаментальных частиц в природе, о которой мы читаем в школе. Его поведение подсказывает новые способы хранения цифровых данных. В исследовании, опубликованном в Nano Letters, физики из Мичиганского технологического университета изучают альтернативные материалы для увеличения емкости и уменьшения размеров технологий хранения цифровых данных. Ранджит Пати, профессор физики в Технологическом институте Мичигана, руководил исследованием и объяснял физику, лежащую в основе новой конструкции нанопроволоки своей команды. сказал Пати. Когда эти векторы имеют случайную ориентацию, материал немагнитен. Когда они параллельны друг другу, это называется ферромагнетизмом, а антипараллельное выравнивание — антиферромагнетизмом. Современная технология хранения данных основана на ферромагнитных материалах, где данные хранятся в небольших ферромагнитных доменах. Вот почему достаточно сильный магнит может испортить мобильный телефон или другое электронное хранилище. В зависимости от направления намагничивания (направленного вверх или вниз) данные записываются в виде битов (либо 1, либо 0) в ферромагнитных доменах. Однако есть два узких места, и оба зависят от близости. Во-первых, поднесите внешний магнит слишком близко, и его магнитное поле может изменить направление магнитных моментов в домене и повредить запоминающее устройство. И, во-вторых, каждый домен имеет собственное магнитное поле, поэтому они не могут находиться слишком близко друг к другу. Проблема с меньшей, более гибкой и универсальной электроникой заключается в том, что им требуются устройства, которые затрудняют безопасное разделение ферромагнитных доменов. — сказал Пати. Сами по себе антиферромагнитные материалы не подходят для электронных устройств, но на них не влияют внешние магнитные поля. Эта способность противостоять магнитным манипуляциям стала привлекать все больше внимания исследовательского сообщества, и команда Пати использовала предсказательную квантовую теорию многих тел, которая учитывает электрон-электронные взаимодействия.
Источник: factstore.ru